半导体工艺——期末备考资料，祝你不挂科

这份半导体工艺期末复习资料整理了课程核心内容，包含重点总结和学习笔记两部分。重点总结按章节梳理了关键知识点，比如氧化工艺原理、光刻分辨率影响因素、离子注入剂量计算、金属化工艺步骤等，每个章节都标注了考试高频考点和公式推导过程。学习笔记部分补充了课堂难点解析，像刻蚀速率公式推导、薄膜沉积方法对比，还整理了老师反复强调的工艺参数影响规律，比如温度对扩散系数的影响曲线、光刻胶曝光能量控制范围等。资料里还汇总了典型工艺流程对比表，比如CMOS制造与双极型工艺的关键差异，以及常见工艺缺陷分析案例。整体内容参考了教材重点章节和实验报告要点，适合快速回顾工艺流程框架，巩固掺杂、光刻、封装等核心模块知识，笔记中穿插了思维导图和公式记忆技巧，可直接用于考前冲刺，帮助高效复习。

资源链接: https://pan.baidu.com/s/1LQnm32IodtlyJ2JNwnvE1Q?pwd=i0xh